IGCT三电平高压变频器主电路和技术规格

    ①主电路和技术规格

   IGCT三电平高压变频器也是高一高方式中的一种方案。其主电路如图9-32所示。目前国内使用较多的是ABB产品，电压为2.3 kV、3.3 kV、4.16 kV和6.6 kV，容量为315～7460 kW。

    图9-32    IGCT三电平高压变频器的主电路

    ②新器件IGCT介绍

   IGCT是20世纪90年代在晶闸管技术的基础上结合了GTO和IGBT技术开发的新器件，它比IGBT更适合于在高电压、大容量下使用，与GTO相比具有开关损耗低、门极控制简单、关断速度快、主回路接线简单等优点。目前使用的IGCT元件最大可做到4.5kV、4.5kA，非常适合高压大容量变频器使用。

   IGCT的全名为集成门极换相晶闸管，是由GCT晶闸管与门极控制电路甚至是状态检测电路、续流二极管等集成为一个整体。

    ③特点分析

    逆变器采用三电平PWM控制，输出谐波降低；省去升、降压变压器，结构紧凑；新元件的耐压水平高，无需串、并联即可适用于大多数大容量高压电动机；电源输入端仍需设置三绕组变压器，可降低电源侧谐波。

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