变频技术

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• 变频电源中功率MOSFET驱动电路

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  功率 MOSFET 是电压型驱动器件，没有少数载流子的存贮效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很高，驱动功率小，电路简单。但功率 MOSFET 的极间电容较大，输入电容 CISS 、输出电容 C...

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• 变频电源中IGBT驱动的集成芯片

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  fLP250 （ TOSHIBA 公司生产）包含一个 GAALAS 光发射二极管和一个集成光探测器， 8 脚双列封装结构。适合于 IGBT 或功率 MOSFET 栅极驱动电路。图 1-20 为 TLP250 的内部结构简图，表 1-4 给出了...

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• 变频电源中IGBT的结构

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  IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 是 MOS 结构双极器件，属于具有功率 MOSFET 的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。 IGBT 的应用范围一般都在耐压 600V 以上、电流 10A 以上、频率为...

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• 变频电源中IGCT的结构特性与应用

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  功率半导体器件经过近 40 年的长足发展，在低压 (50~ 500V) 和中压 (500~ 2000V) 的范围内得到了广泛的应用，而在高压 ( 2000~ 9000V) 范围内的应用却仍存在一些问题，比如晶闸管必须有负载换...

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• 变频电源中IGBT的工作原理

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  N 沟型的 IGBT 工作是通过栅极一发射极间加阀值电压 VTH 以上的（正）电压，在栅极电极正下方的 P 层上形成反型层（沟道），开始从发射极电极下的 N- 层注入电子。该电子为 P+N-P 晶体...

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• 变频电源中IGCT结构

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  集成门极换流的晶闸管 (IGCT) ，也有人称发射极关断的晶闸管 (ETO) ，实际上是关断增益为 1 的 GTO （门极关断的晶闸管），又是把 MOSFET 管从器件（半导体）内部拿到外部来的 MCT 管。...

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• 变频电源中IGCT的工作原理

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  IGCT 利用门极脉冲开通，导通机理与 GTO 完全一样，但关断机理与 GTO 完全不同。表 1-9 给出了两者工作状态的比较。 表 1-9 IGCT 和 GTO 的工作原来比较 在 IGCT 的关断过程中，当进一步增加...

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• 怎样采用试灯检测绝缘栅双极晶体管的好坏？

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  试灯检测法的实质就是通过指示灯的工作情况来判断绝缘栅双极晶体管好坏的一种检测方法。具体方法如下。 (1) 连接电路 按图 10-25 所示连接好电路。图中的 HL 即为指示灯， VT1 为被检...

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• 变频电源中IGCT关键技术

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  IGCT 的工作原理表明， IGCT 是在 GTO 芯片基础上进行设计的，但由于传统的 GTO 技术为降低场强而增加了芯片厚度，从而使通态压降和开关损耗增大，为此 IGCT 采用了新的器件设计技术。...

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• 怎样掌握诊断与检测变频功率模块故障的思路？

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  (1) 故障特点 从变频功率模块内部保护电路的保护特点来看， IPM 模块的上桥臂和下桥臂均有各自的过电流、短路和欠压保护，但过热仅在下桥臂。无论上、下桥臂上哪一个管子出现故障...

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